IC元器件

IRF9952TR

International Rectifier FET - 阵列

IRF9952TR 供应商

IRF9952TR 属性参数

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A，2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：190pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：带卷 (TR)

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