IC元器件

2N7002DW-TP

参考价格:$0.08

FET - 阵列

2N7002DW-TP 供应商

2N7002DW-TP 属性参数

  • 产品培训模块:Diode Handling and Mounting
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:115mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
  • 功率 - 最大:200mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SOT-363
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2N7002DW-TPTR