2N7002V 供应商
2N7002V 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563F
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2N7002VTR
2N7002V