IC元器件

ZXMN6A11DN8TC

FET - 阵列

ZXMN6A11DN8TC 供应商

ZXMN6A11DN8TC 属性参数

  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:330pF @ 40V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOP
  • 包装:带卷 (TR)

ZXMN6A11DN8TC 数据手册