ZXMD65N03N8TA 供应商
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ZXMD65N03N8TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-SO/18+
ZXMD65N03N8TA 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：?
- 其它名称：ZXMD65N03N8DKR