ZXMD63N02XTC 供应商
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ZXMD63N02XTC
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-MSOP/18+
ZXMD63N02XTC 属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：350pF @ 15V
- 功率 - 最大：870mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：8-MSOP
- 包装：带卷 (TR)
ZXMD63N02XTC