ZXMC4A16DN8TC 供应商
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ZXMC4A16DN8TC
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-SO/18+
ZXMC4A16DN8TC 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A，3.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：770pF @ 40V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)