STS2DNF30L 供应商
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STS2DNF30L
品牌:STM 封装/批号:SO-8/23+ -
STS2DNF30L
品牌:ST 封装/批号:SO8/8 -
STS2DNF30L
品牌: 封装/批号:/2019+ -
STS2DNF30L
品牌:ST 封装/批号:SOP-8/23+ -
STS2DNF30L
品牌:ST 封装/批号:SOP-8/21+ -
STS2DNF30L
品牌:ST 封装/批号:SOP8/23+ -
STS2DNF30L
品牌:ST/ELNAF 封装/批号:SOP8/1903+ -
STS2DNF30L
品牌:ST 封装/批号:/最新批号
STS2DNF30L 属性参数
- 其它有关文件:STS2DNF30L View All Specifications
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:STripFET™
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 1A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:4.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:121pF @ 25V
- 功率 - 最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel?
- 其它名称:497-12799-6