SI5920DC-T1-E3 供应商
-
SI5920DC-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI5920DC-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI5920DC-T1-E3
品牌：原装VISHAY 封装/批号：/最新批号
SI5920DC-T1-E3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：8V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：32 毫欧 @ 6.8A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：680pF @ 4V
- 功率 - 最大：2.04W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI5920DC-T1-E3TR