SI4564DY-T1-GE3 供应商
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SI4564DY-T1-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：Reel/21+
SI4564DY-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A，9.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17.5 毫欧 @ 8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：855pF @ 20V
- 功率 - 最大：3.1W，3.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4564DY-T1-GE3TR