SI1988DH-T1-GE3 供应商
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SI1988DH-T1-GE3
品牌：VISHAY 封装/批号：SOT-363/新批号
SI1988DH-T1-GE3 属性参数
- 数据列表：SI1988DH
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：168 毫欧 @ 1.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.1nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：110pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1988DH-T1-GE3TR