SI1563EDH-T1-E3 供应商
-
SI1563EDH-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI1563EDH-T1-E3
品牌：VISHAY 封装/批号：SOT/22+ -
SI1563EDH-T1-E3
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI1563EDH-T1-E3 属性参数
- 数据列表：SI1563EDH
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.13A，880mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫欧 @ 1.13A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：570mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1563EDH-T1-E3TR