SI1029X-T1-GE3 供应商
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SI1029X-T1-GE3
品牌： 封装/批号：模块/NEW -
SI1029X-T1-GE3
品牌： 封装/批号：模块/NEW
SI1029X-T1-GE3 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：305mA，190mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1029X-T1-GE3TR