IC元器件

SH8M2TB1

参考价格:$0.275-$0.319

ROHM Semiconductor FET - 阵列

SH8M2TB1 供应商

SH8M2TB1 属性参数

  • 特色产品:ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:83 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:3.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:140pF @ 10V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SH8M2TB1TR

SH8M2TB1 数据手册