PMGD280UN,115 供应商
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PMGD280UN,115
品牌：NXP 封装/批号：/21+
PMGD280UN,115 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：870mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：340 毫欧 @ 200mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.89nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：45pF @ 20V
- 功率 - 最大：400mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：6-TSSOP
- 包装：?
- 其它名称：568-2365-6