NVMFD5877NLT1G 供应商
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NVMFD5877NLT1G
品牌：ON/安森美 封装/批号：DFN8/24+ -
NVMFD5877NLT1G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通/18+
NVMFD5877NLT1G 属性参数
- 标准包装：1,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：39 毫欧 @ 7.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：540pF @ 25V
- 功率 - 最大：3.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商设备封装：8-DFN（5x6）
- 包装：带卷 (TR)