NTMD5836NLR2G 供应商
-
NTMD5836NLR2G
品牌：ON 封装/批号：/8 -
NTMD5836NLR2G
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：8-SOIC/18+ -
NTMD5836NLR2G
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：SOIC8/1829+
NTMD5836NLR2G 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A，5.7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 10A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2120pF @ 20V
- 功率 - 最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTMD5836NLR2G-NDNTMD5836NLR2GOSTR