IC元器件

NTMD2C02R2G

参考价格：$0.3724

ON Semiconductor FET - 阵列

NTMD2C02R2G 供应商

NTMD2C02R2G 属性参数

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：N 和 P 沟道
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.2A，3.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：43 毫欧 @ 4A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1100pF @ 10V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOICN
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTMD2C02R2GOS

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