NTLJD3119CTAG 供应商
-
NTLJD3119CTAG
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：6-WDFN(2x2)/18+ -
NTLJD3119CTAG
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：QFN/1924+
NTLJD3119CTAG 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A，2.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：65 毫欧 @ 3.8A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：271pF @ 10V
- 功率 - 最大：710mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：6-WDFN（2x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTLJD3119CTAG-NDNTLJD3119CTAGOSTR