IC元器件

NTJD5121NT1G

参考价格：$0.03276-$0.05796

ON Semiconductor FET - 阵列

NTJD5121NT1G 供应商

NTJD5121NT1G 属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：295mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：26pF @ 20V
  • 功率 - 最大：250mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：SC-88
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：NTJD5121NT1G-NDNTJD5121NT1GOSTR

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