NTHC5513T1 供应商
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NTHC5513T1
品牌：ON/安森美 封装/批号：ChipFET/2024 -
NTHC5513T1
品牌：ONSemiconductor 封装/批号：ChipFET?/18+ -
NTHC5513T1G
品牌：ON/ELNAF 封装/批号：SOT23-8/1916+ -
NTHC5513T1G
品牌：ON 封装/批号：/8
NTHC5513T1 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A，2.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：180pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTHC5513T1OS