IRLHS6376TR2PBF 供应商
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IRLHS6376TR2PBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：6-PQFN(2x2)/18+
IRLHS6376TR2PBF 属性参数
- 特色产品：Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
- 标准包装：400
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.8nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：270pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-VDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：6-PQFN（2x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IRLHS6376TR2PBF-NDIRLHS6376TR2PBFTR