IRL6372TRPBF 供应商
-
IRL6372TRPBF
品牌:INFINEON 封装/批号:SO8/23+ -
IRL6372TRPBF
品牌:InfineonTechnologies 封装/批号:8-SO/18+ -
IRL6372TRPBF
品牌:Infineon 封装/批号:原厂原封装/新批号 -
IRL6372TRPBF
品牌:infineon 封装/批号:/ -
IRL6372TRPBF
品牌:INFINEON/英飞凌 封装/批号:/2022+
IRL6372TRPBF 属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:HEXFET®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8.1A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:17.9 毫欧 @ 8.1A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1020pF @ 25V
- 功率 - 最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IRL6372TRPBFTR