IRF6702M2DTRPBF 供应商
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IRF6702M2DTRPBF
品牌：InfineonTechnologies 封装/批号：DIRECTFET?MA/18+
IRF6702M2DTRPBF 属性参数
- 标准包装：4,800
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：HEXFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.6 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 25µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1380pF @ 15V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MA
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MA
- 包装：带卷 (TR)