ECH8602M-TL-H 供应商
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ECH8602M-TL-H
品牌：onsemi 封装/批号：SMD8/21+ -
ECH8602M-TL-H
品牌：SANYO/ELNAF 封装/批号：ECH8/1807+
ECH8602M-TL-H 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：8-ECH
- 包装：带卷 (TR)