IC元器件

CSD87353Q5D

参考价格:$1.8-$3.6

Texas Instruments FET - 阵列

CSD87353Q5D 供应商

CSD87353Q5D 属性参数

  • 产品培训模块:NexFET MOSFET TechnologyTelecom Point of Load Solutions
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:NexFET™
  • FET 型:2 N 沟道(半桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.15V,2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3190pF @ 15V
  • 功率 - 最大:12W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装:8-SON-EP(5x6)
  • 包装:?
  • 其它名称:296-29661-6

产品特性

  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

产品概述

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87353Q5D 电路图