IC元器件

CSD87350Q5D

Texas Instruments FET - 阵列

CSD87350Q5D 供应商

CSD87350Q5D 属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫欧 @ 20A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1770pF @ 15V
  • 功率 - 最大：12W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON（5x6）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-28318-6

产品特性

  • 半桥电源块
  • 25A 电流下系统效率达 90%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

产品概述

CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
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CSD87350Q5D 电路图

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