CSD87331Q3D 供应商
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CSD87331Q3D
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD87331Q3D
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：LSON8/21+ -
CSD87331Q3D
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：LSON8/2022+ -
CSD87331Q3D
品牌： 封装/批号：/23+
CSD87331Q3D 属性参数
- 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：NexFET™
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：15A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V，1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：518pF @ 15V
- 功率 - 最大：6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
- 包装：?
- 其它名称：296-29695-6
产品特性
- 半桥电源块
- VIN 高达 27V
- 高达 15A 的运行电流
- 10A 电流时系统效率为 91%
- 高频运行（高达 1.5MHz）
- 高密度 3.3mm × 3.3mm SON 封装
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
产品概述
CSD87331Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。
CSD87331Q3D 电路图
