IC元器件

CSD87330Q3D

参考价格：$1.1175-$2.39

Texas Instruments FET - 阵列

CSD87330Q3D 供应商

CSD87330Q3D 属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET TechnologyTelecom Point of Load Solutions
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：2 N 沟道（半桥）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：900pF @ 15V
  • 功率 - 最大：6W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-LDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-29660-6

产品特性

  • 半桥式电源块
  • 高达 27 V VIN
  • 在 15 A 电流下可实现 91% 的系统效率
  • 高达 20 A 的工作电流
  • 高频率工作（高达 1.5MHz）
  • 高密度 — SON 3.3-mm × 3.3-mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅终端电镀

产品概述

CSD87330Q3D NexFET 电源块是面向同步降压应用的优化设计，能够以 3.3 毫米 × 3.3 毫米的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。当与来自外部控制器/驱动的任一 5 V栅极驱动器成对使用时，此产品提供一个灵活的解决方案以提供高密度电源，因此此产品为 5 V栅极驱动应用提供最优解决方案。 该产品针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，可提供高度灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任何 5V 栅极驱动配合使用时，均可提供高密度电源。
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CSD87330Q3D 电路图

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