BSO303P H 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：21 毫欧 @ 8.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：49nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2678pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：PG-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO303P H-NDSP000613854