BSO220N03MD G 供应商
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BSO220N03MD G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSO220N03MD G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：/2022+ -
BSO220N03MD G
品牌：INFINEON 封装/批号：TSSOP/23+
BSO220N03MD G 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：22 毫欧 @ 7.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：800pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：PG-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO220N03MD G-NDBSO220N03MD GTRSP000447478