BSC750N10ND G 供应商
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BSC750N10ND G
品牌：infineon 封装/批号：标准封装/24+ -
BSC750N10ND G
品牌：INFINEON 封装/批号：PG-TDSON-8/2022+
BSC750N10ND G 属性参数
- 数据列表：BSC750N10ND GBSC750N10ND G
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 13A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 12µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：720pF @ 50V
- 功率 - 最大：26W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商设备封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSC750N10ND G-NDBSC750N10ND GTRSP000359610