ZXT10N50DE6TA 供应商
-
ZXT10N50DE6TA
品牌:DiodesIncorporated 封装/批号:SOT-23-6/18+ -
ZXT10N50DE6TA
品牌:DIODES 封装/批号:/2021+
ZXT10N50DE6TA 属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 100mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 2A,2V
- 功率 - 最大:1.1W
- 频率 - 转换:165MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-23-6
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:ZXT10N50DE6TATR