2DB1182Q-13 供应商
-
2DB1182Q-13
品牌：DIODES 封装/批号：TSSOP/23+
2DB1182Q-13 属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：32V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 500mA，3V
- 功率 - 最大：10W
- 频率 - 转换：110MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2DB1182Q-13DITR