ZXMN3A02N8TA 供应商
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ZXMN3A02N8TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-SO/18+
ZXMN3A02N8TA 属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 12A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：26.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1400pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.56W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMN3A02N8TR
ZXMN3A02N8TA