2N7000TA 属性参数
- 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：200mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：50pF @ 25V
- 功率 - 最大：400mW
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：带盒（TB）
- 其它名称：2N7000TA-ND2N7000TATB2N7000TATR2N7000TATR-ND
2N7000TA