ZXMN10A08E6TC 供应商
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ZXMN10A08E6TC
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：SOT-26/18+
ZXMN10A08E6TC 属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：250 毫欧 @ 3.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.7nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：405pF @ 50V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商设备封装：SOT-23-6
- 包装：带卷 (TR)
ZXMN10A08E6TC