ZXM66P02N8TA 供应商
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ZXM66P02N8TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：8-SO/18+
ZXM66P02N8TA 属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：43.3nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2068pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.56W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXM66P02N8TR
ZXM66P02N8TA