ZXM62N03E6TA 供应商
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ZXM62N03E6TA
品牌：DiodesIncorporated 封装/批号：SOT-23-6/18+
ZXM62N03E6TA 属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：380pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商设备封装：SOT-23-6
- 包装：?
- 其它名称：ZXM62N03E6DKR
ZXM62N03E6TA