XN0NE9200L 供应商
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XN0NE9200L
品牌：PanasonicElectronicCompo 封装/批号：迷你型5-G1/18+
XN0NE9200L 属性参数
- 数据列表：XN0NE9200L View All Specifications
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：-
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：二极管（隔离式）
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 800mA，4V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：600mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74A，SOT-753
- 供应商设备封装：迷你型5-G1
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：XN0NE9200LTR
XN0NE9200L