IC元器件

XN04A8800L 供应商

XN04A8800L 属性参数

  • 数据列表:XN04A8800L View all Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:1 PNP 预偏压式,1 NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):-
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 5mA,10V / 150 @ 2mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA,10mA / 300mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA,100µA
  • 频率 - 转换:100MHz,80MHz
  • 功率 - 最大:300mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • 供应商设备封装:MINI6-G1
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:XN04A8800LTR