EMG11T2R 供应商
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EMG11T2R
品牌：ROHM/ELNAF 封装/批号：SOT/1811+
EMG11T2R 属性参数
- 数据列表：EMG11, UMG11N, FMG11A
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列：-
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k
- 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 10mA，5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
- 频率 - 转换：250MHz
- 功率 - 最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：EMT5
- 供应商设备封装：EMT5
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：EMG11T2RTR