UCC27712D 供应商
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UCC27712D
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
UCC27712D
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+ -
UCC27712DR
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：SOP8/21+ -
UCC27712DR
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SOIC-8/2022+
UCC27712D 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥15.18000管件
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- Digi-Key Programmable：Not Verified
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：10V ~ 20V
- 逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.8A，2.8A
- 输入类型：-
- 高压侧电压 - 最大值（自举）：600 V
- 上升/下降时间（典型值）：16ns，10ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
产品特性
- 高侧和低侧配置
- 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
- 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
- VDD 建议范围为 10V 至 20V
- 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
- 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
- HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
- 输入负电压容差为 –5V
- 大型负瞬态安全工作区
- 为两个通道提供 UVLO 保护
- 短传播延迟（典型值 100ns）
- 延迟匹配（典型值 12ns）
- 设计用于自举操作的悬空通道
- 低静态电流
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 行业标准 SOIC-8 封装
- 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
产品概述
UCC27712 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 1.8A 拉电流、2.8A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。 对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于功率 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 17V。UCC27712 包含保护 功能， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受宽泛的偏置电源范围并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在 UCC27712 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。
UCC27712D 电路图
