5962-1022101VSC 供应商
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5962-1022101VSC
品牌：TI 封装/批号：CQFP/21+ -
5962-1022101VSC(TPS50601MHKHV)
品牌：TI 封装/批号：原厂封装/23+
5962-1022101VSC 属性参数
- 现有数量：0现货10,001Factory
- 价格：在售
- 系列：*
- 包装：管件
- 产品状态：在售
- 功能：-
- 输出配置：-
- 拓扑：-
- 输出类型：-
- 输出数：-
- 电压 - 输入（最小值）：-
- 电压 - 输入（最大值）：-
- 电压 - 输出（最小值/固定）：-
- 电压 - 输出（最大值）：-
- 电流 - 输出：-
- 频率 - 开关：-
- 同步整流器：-
- 工作温度：-
- 安装类型：-
- 封装/外壳：-
- 供应商器件封装：-
产品特性
- 5962R10221：抗辐射加固保障 (RHA) 高达 100kRAD (Si) 总电离剂量 (TID) 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s 单粒子锁定 (SEL) 对于 线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg（请参见） 单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 的抗扰度为 85MeV-cm2/mg，提供安全运行区域 (SOA) 曲线（请参见） 提供单粒子瞬变/单粒子功能中断 (SET/SEFI) 横截面图（请参见）
- 抗辐射加固保障 (RHA) 高达 100kRAD (Si) 总电离剂量 (TID)
- 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 kRAD (Si) – 10mRAD(Si)/s
- 单粒子锁定 (SEL) 对于 线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg（请参见）
- 单粒子烧毁 (SEB) 和单粒子栅穿 (SEGR) 的抗扰度为 85MeV-cm2/mg，提供安全运行区域 (SOA) 曲线（请参见）
- 提供单粒子瞬变/单粒子功能中断 (SET/SEFI) 横截面图（请参见）
- 峰值效率：95% (VO = 3.3V)
- 集成了 55mΩ/50mΩ 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 分离电源轨：PVIN 上的电压为 1.6V 至 6.3V
- 电源轨：VIN 上的电压为 3V 至 6.3V
- 6A 最大输出电流
- 灵活的开关频率选项：100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器 外部同步功能的频率范围：100kHz 至 1MHz 可针对主/从设备将同步引脚配置为 500kHz 输出 应用
- 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
- 外部同步功能的频率范围：100kHz 至 1MHz
- 可针对主/从设备将同步引脚配置为 500kHz 输出 应用
- 25°C 下的电压基准为 0.795V±1.258%
- 单调启动至预偏置输出
- 通过外部电容进行调节的软启动
- 用于电源排序的输入使能和电源正常输出
- 针对欠压及过压的电源良好输出监控
- 可调节输入欠压锁定 (UVLO)
- 20 引脚耐热增强型陶瓷扁平封装 (HKH)
- 请访问 www.ti.com/swift 获取 SWIFT文档
- 请参见工具和软件 (Tools & Software) 选项卡
- 用于现场可编程门阵列 (FPGA)、微控制器和专用集成电路 (ASIC) 的太空卫星负载点电源
- 太空卫星有效载荷
- 抗辐射 应用
- 可用于军用温度范围（-55°C 至 125°C）
- 提供工程评估 (/EM) 样品 (1)
产品概述
TPS50601-SP
是一款抗辐射加固型 6.3V、6A 同步降压转换器。该器件通过高效率以及集成高侧和低侧 MOSFET
的方式针对小型设计进行了优化。通过电流模式控制减少组件数量，并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸，来进一步节省空间。此器件提供耐热增强型 20 引脚陶瓷，双列直插扁平封装。输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制，可实现独立电源运行，或者跟踪状态下的运行。此外，正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。 高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件，并通过低侧电源限流防止电流失控，从而实现功能增强。此外，还提供可关闭低侧 MOSFET
的低侧吸收电流限值，以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时，热关断禁用此部件。
5962-1022101VSC 电路图
