UCC27511AQDBVRQ1 供应商
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UCC27511AQDBVRQ1
品牌：TI 封装/批号：SOT23-6/22+ -
UCC27511AQDBVRQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SOT-23-6/2022+ -
UCC27511AQDBVRQ1
品牌：TI 封装/批号：SOT-23(DBV)-6/23+
UCC27511AQDBVRQ1 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥11.13000剪切带（CT）3,000 : ￥5.05614卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- Digi-Key Programmable：Not Verified
- 驱动配置：低端
- 通道类型：单路
- 驱动器数：1
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：4.5V ~ 18V
- 逻辑电压?- VIL，VIH：1V，2.4V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：4A，8A
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：8ns，7ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商器件封装：SOT-23-6
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性： 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围 器件 HBM ESD 分类等级 2 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
- 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
- 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
- UCC27511A-Q1 内的分离输出配置（可独立对导通和关断速度实现简便调节）
- 短暂传播延迟（典型值 13ns）
- 快速上升和下降时间（典型值分别为 8ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 单电源电压范围
- VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保加电和断电时无毛刺脉冲运行）
- 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
- 迟滞逻辑阈值可实现高噪声抗扰度
- 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置） 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
- 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
- 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
- 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- 输入引脚可承受 -5V 的直流电压（低于接地 (GND) 引脚电压）
- 工作温度范围：-40°C 至 140°C
- 6 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项
产品概述
UCC27511A-Q1 器件是紧凑型栅极驱动器，可为 NPN 和 PNP 离散驱动器（缓冲电路）解决方案提供出色的替代方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽车应用级单通道低侧、高速栅极驱动器，适用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅门极晶体管 (IGBT) 和新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）。UCC27511A-Q1 器件具有快速上升时间、快速下降时间和短暂传播延迟，因此非常适合高速应用。该器件具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流以及不对称驱动，提高了对寄生米勒接通效应的抗扰性。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节，并且无需使用外部二极管。
UCC27511AQDBVRQ1 电路图
