TPS54061QDRBTQ1 供应商
-
TPS54061QDRBTQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TPS54061QDRBTQ1
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：SON-8(3x3)/2022+
TPS54061QDRBTQ1 属性参数
- 现有数量：13现货
- 价格：1 : ￥25.36000剪切带（CT）250 : ￥17.67804卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 功能：降压
- 输出配置：正
- 拓扑：降压
- 输出类型：可调式
- 输出数：1
- 电压 - 输入（最小值）：4.7V
- 电压 - 输入（最大值）：60V
- 电压 - 输出（最小值/固定）：0.8V
- 电压 - 输出（最大值）：58V
- 电流 - 输出：200mA
- 频率 - 开关：50kHz ~ 1.1MHz
- 同步整流器：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：8-SON（3x3）
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C3B
- 集成型高侧和低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 针对轻负载效率的二极管仿真
- 峰值电流模式控制
- 90µA 运行静态电流
- 1.4µA 关断电源电流
- 50KHz 至 1.1MHz 可调节开关频率
- 同步至外部时钟
- 0.8V±1% 电压基准
- 与陶瓷输出电容器或者低成本铝制电解电容器一起工作时保持稳定
- 逐周期电流限制、过热、过压保护 (OVP) 和频率折返保护
- 带散热垫的 3mm x 3mm 封装
- -40°C 至 150°C 运行结温
产品概述
TPS54061-Q1 器件是一款 60V，200mA，同步降压 dc-dc 转换器，此转换器具有高侧和低侧 MOSFET。 电流模式控制提供简单的外部补偿和灵活的组件选择。 非开关电源电流为 90µA。 使能引脚的使用将关断电流减少至 1.4µA。为了增加轻负载效率，当电感器电流达到零值时，低侧 MOSFET 仿真一个二极管。内部欠压闭锁设置值为 4.5V，但是在使能引脚上使用 2 个电阻器能够增加此设置值。 内部缓启动时间控制输出电压启动斜升。 可调开关频率范围可实现效率和外部组件尺寸的优化。 频率折返和热关断功能负责在过载情况下保护器件。TPS54061-Q1 通过集成 MOSFET，引导再充电二极管，以及将集成电路 (IC) 封装尺寸大大减小为小型 3mm x 3mm 散热增强型超薄小外形尺寸无引线 (VSON) 封装来实现小型设计。
TPS54061QDRBTQ1 电路图
