TPS28225TDRQ1 供应商
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TPS28225TDRQ1
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
TPS28225TDRQ1
品牌：TI/德州仪器 封装/批号：SOIC8/21+
TPS28225TDRQ1 属性参数
- 现有数量：16,613现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥15.34000剪切带（CT）2,500 : ￥7.79886卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q100
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- Digi-Key Programmable：Not Verified
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：同步
- 驱动器数：2
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：4.5V ~ 8.8V
- 逻辑电压?- VIL，VIH：0.8V，2.1V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2A，2A
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）：33 V
- 上升/下降时间（典型值）：10ns，10ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC
产品特性
- 符合汽车应用要求
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
- 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
- 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 用于功率级关断的三态 PWM 输入
- 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
产品概述
TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。
TPS28225TDRQ1 电路图
