SUP85N10-10-GE3 供应商
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SUP85N10-10-GE3
品牌：VISHAY/威世 封装/批号：TO-220/21+
SUP85N10-10-GE3 属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：85A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10.5 毫欧 @ 30A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：6550pF @ 25V
- 功率 - 最大：3.75W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：带卷 (TR)