STS19N3LLH6 供应商
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STS19N3LLH6
品牌：STM 封装/批号：SOP-8/23+ -
STS19N3LLH6
品牌：ST/ELNAF 封装/批号：SOP-8/1832+
STS19N3LLH6 属性参数
- 其它有关文件：STS19N3LLH6 View All Specifications
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：STripFET™ DeepGATE™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：19A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 15V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1690pF @ 25V
- 功率 - 最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：?
- 其它名称：497-12677-6