STP18N55M5 供应商
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STP18N55M5
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-220/2024+ -
STP18N55M5
品牌：STM 封装/批号：TO-220-3/21+
STP18N55M5 属性参数
- 其它有关文件：STP18N55M5 View All Specifications
- 产品培训模块：5th Generation High Voltage Mosfet Technology
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：MDmesh™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：550V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：240 毫欧 @ 6.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1352pF @ 100V
- 功率 - 最大：90W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：497-10963-5